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TSM9ND50CI
500V, 9A, 0.9O SINGLE N-CHANNEL
Numero di parte
TSM9ND50CI
Produttore/Marchio
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pacchetto dispositivo del fornitore
ITO-220
Dissipazione di potenza (massima)
50W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
500V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
9A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
24.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1116pF @ 50V
Vg (massimo)
±30V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
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TSM9ND50CI Componenti elettronici
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