Acquista Taiwan Semiconductor Corporation TSM650N15CS RLG MOSFET N-CHANNEL 150V 9A 8SOP

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Schede tecniche

TSM650N15CS RLG

MOSFET N-CHANNEL 150V 9A 8SOP

Numero di parte

TSM650N15CS RLG

Produttore/Marchio

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Stato della parte

Active

Confezione

Cut Tape (CT)

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo del fornitore

8-SOP

Dissipazione di potenza (massima)

12.5W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

9A (Tc)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

37nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1783pF @ 75V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

6V, 10V

Vg (massimo)

±20V

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