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TSM650N15CS RLG

TSM650N15CS RLG

MOSFET N-CHANNEL 150V 9A 8SOP
Numero di parte
TSM650N15CS RLG
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SOP
Dissipazione di potenza (massima)
12.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
150V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
9A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
37nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1783pF @ 75V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
6V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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Parole chiave di TSM650N15CS RLG
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