Acquista Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N900CP ROG MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252

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Schede tecniche

TSM60N900CP ROG

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252

Numero di parte

TSM60N900CP ROG

Produttore/Marchio

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Stato della parte

Discontinued at Digi-Key

Confezione

Cut Tape (CT)

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo del fornitore

TO-252, (D-Pak)

Dissipazione di potenza (massima)

50W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

4.5A (Tc)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

9.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 100V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

10V

Vg (massimo)

±30V

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