Acquista Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N1R4CH C5G MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251

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TSM60N1R4CH C5G

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251

Numero di parte

TSM60N1R4CH C5G

Produttore/Marchio

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Stato della parte

Not For New Designs

Confezione

Tube

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto/custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Pacchetto dispositivo del fornitore

TO-251 (IPAK)

Dissipazione di potenza (massima)

38W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

3.3A (Tc)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

7.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 100V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

10V

Vg (massimo)

±30V

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