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TSM4ND65CI
650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
Numero di parte
TSM4ND65CI
Produttore/Marchio
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pacchetto dispositivo del fornitore
ITO-220
Dissipazione di potenza (massima)
41.6W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
2.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
16.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
596pF @ 50V
Vg (massimo)
±30V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
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TSM4ND65CI Componenti elettronici
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