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TSM4NB60CZ C0G

TSM4NB60CZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220
Numero di parte
TSM4NB60CZ C0G
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-220-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-220
Dissipazione di potenza (massima)
50W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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Parole chiave di TSM4NB60CZ C0G
TSM4NB60CZ C0G Componenti elettronici
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