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TSM4N60ECH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Numero di parte
TSM4N60ECH C5G
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-251 (IPAK)
Dissipazione di potenza (massima)
86.2W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
545pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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