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TSM1NB60SCT A3G
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Numero di parte
TSM1NB60SCT A3G
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Last Time Buy
Confezione
Tape & Box (TB)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-92
Dissipazione di potenza (massima)
2.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
500mA (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
6.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
138pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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