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TSM1NB60CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251
Numero di parte
TSM1NB60CH C5G
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-251 (IPAK)
Dissipazione di potenza (massima)
39W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
1A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
6.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
138pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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