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TSM1N45CW RPG
MOSFET N-CH 450V 500MA SOT223
Numero di parte
TSM1N45CW RPG
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-223
Dissipazione di potenza (massima)
2W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
450V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
500mA (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
4.25 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4.25V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
6.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
235pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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