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TSM120N10PQ56 RLG
MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
Numero di parte
TSM120N10PQ56 RLG
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-PDFN (5x6)
Dissipazione di potenza (massima)
36W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
58A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
145nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3902pF @ 30V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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