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TSM033NB04LCR RLG
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Numero di parte
TSM033NB04LCR RLG
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerLDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-PDFN (5x6)
Dissipazione di potenza (massima)
3.1W (Ta), 107W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
21A (Ta), 121A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
3.3 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
79nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4456pF @ 20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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