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STP19NM50N
MOSFET N-CH 500V 14A TO-220
Numero di parte
STP19NM50N
Produttore/Marchio
Serie
MDmesh™ II
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-220-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-220AB
Dissipazione di potenza (massima)
110W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
500V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
14A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
34nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 50V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±25V
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