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STB80NF55L-08-1

STB80NF55L-08-1

MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Numero di parte
STB80NF55L-08-1
Produttore/Marchio
Serie
STripFET™ II
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
I2PAK
Dissipazione di potenza (massima)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
55V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
80A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
100nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4350pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
5V, 10V
Vg (massimo)
±16V
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Parole chiave di STB80NF55L-08-1
STB80NF55L-08-1 Componenti elettronici
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