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STB14NM65N

STB14NM65N

MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Numero di parte
STB14NM65N
Produttore/Marchio
Serie
MDmesh™ II
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
D2PAK
Dissipazione di potenza (massima)
125W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
12A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 50V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±25V
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Parole chiave di STB14NM65N
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