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RS1G120MNTB
MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Numero di parte
RS1G120MNTB
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-HSOP
Dissipazione di potenza (massima)
3W (Ta), 25W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
12A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
16.2 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
9.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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