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RQ3E120BNTB
MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
Numero di parte
RQ3E120BNTB
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-HSMT (3.2x3)
Dissipazione di potenza (massima)
2W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
12A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
29nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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RQ3E120BNTB Componenti elettronici
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