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R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
Numero di parte
R6030KNZ1C9
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-247-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-247
Dissipazione di potenza (massima)
305W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
30A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
56nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2350pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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Parole chiave di R6030KNZ1C9
R6030KNZ1C9 Componenti elettronici
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