Acquista Rohm Semiconductor R6002END3TL1 NCH 600V 2A POWER MOSFET

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Schede tecniche

R6002END3TL1

NCH 600V 2A POWER MOSFET

Numero di parte

R6002END3TL1

Produttore/Marchio

Rohm Semiconductor

Serie

Stato della parte

Active

Confezione

Digi-Reel®

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo del fornitore

TO-252

Dissipazione di potenza (massima)

26W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

1.7A (Tc)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

3.4 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

6.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

65pF @ 25V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

10V

Vg (massimo)

±20V

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