ON Semiconductor
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NVMFD5877NLT1G
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NVMFD5877NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
Numero di parte
NVMFD5877NLT1G
Produttore/Marchio
ON Semiconductor
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerTDFN
Potenza: max
3.2W
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
6A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
39 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 25V
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