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NVATS5A112PLZT4G
MOSFET P-CHANNEL 60V 27A ATPAK
Numero di parte
NVATS5A112PLZT4G
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
ATPAK
Dissipazione di potenza (massima)
48W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
27A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
43 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.6V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
33.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1450pF @ 20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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