ON Semiconductor
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NTZD5110NT1G
Schede tecniche

NTZD5110NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Numero di parte
NTZD5110NT1G
Produttore/Marchio
ON Semiconductor
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SOT-563, SOT-666
Potenza: max
250mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-563
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
294mA
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
24.5pF @ 20V
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