ON Semiconductor
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NTMFD4C86NT1G
Schede tecniche

NTMFD4C86NT1G

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Numero di parte
NTMFD4C86NT1G
Produttore/Marchio
ON Semiconductor
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerTDFN
Potenza: max
1.1W
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-DFN (5x6)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funzionalità FET
Standard
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
11.3A, 18.1A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
5.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
22.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1153pF @ 15V
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