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NDS9953A
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
Numero di parte
NDS9953A
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potenza: max
900mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SO
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
2.9A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 10V
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