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HUF76609D3ST
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Numero di parte
HUF76609D3ST
Produttore/Marchio
Serie
UltraFET™
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-252AA
Dissipazione di potenza (massima)
49W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
10A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
425pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±16V
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