ON Semiconductor
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FDMD85100
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FDMD85100

MOSFET 2N-CH 100V
Numero di parte
FDMD85100
Produttore/Marchio
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerWDFN
Potenza: max
2.2W
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-Power 5x6
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Funzionalità FET
Standard
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
10.4A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
9.9 mOhm @ 10.4A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
31nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2230pF @ 50V
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