ON Semiconductor
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FDMD8260L
Schede tecniche

FDMD8260L

MOSFET 2N-CH 60V 6-MLP
Numero di parte
FDMD8260L
Produttore/Marchio
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
12-PowerWDFN
Potenza: max
1W
Pacchetto dispositivo del fornitore
12-Power3.3x5
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Standard
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
15A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
5.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
68nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
5245pF @ 30V
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