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ECH8601M-TL-H-P
MOSFET 2N-CH
Numero di parte
ECH8601M-TL-H-P
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SMD, Flat Lead
Potenza: max
-
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-ECH
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzionalità FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
24V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
8A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.3V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
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