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PMDPB56XN,115
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
Numero di parte
PMDPB56XN,115
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-UDFN Exposed Pad
Potenza: max
510mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
DFN2020-6
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
3.1A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
73 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
2.9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 15V
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