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PSMN6R0-30YLB,115
MOSFET N-CH 30V LFPAK
Numero di parte
PSMN6R0-30YLB,115
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SC-100, SOT-669
Pacchetto dispositivo del fornitore
LFPAK56, Power-SO8
Dissipazione di potenza (massima)
58W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
71A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.95V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
19nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1088pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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