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PSMN0R9-25YLC,115
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
Numero di parte
PSMN0R9-25YLC,115
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SC-100, SOT-669
Pacchetto dispositivo del fornitore
LFPAK56, Power-SO8
Dissipazione di potenza (massima)
272W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
25V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
100A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
0.99 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.95V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
6775pF @ 12V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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