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PSMN0R7-25YLDX
MOSFET N-CH 25V LFPAK56
Numero di parte
PSMN0R7-25YLDX
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SOT-1023, 4-LFPAK
Pacchetto dispositivo del fornitore
LFPAK56, Power-SO8
Dissipazione di potenza (massima)
158W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
25V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
300A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
0.72 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
110.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
8320pF @ 12V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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