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PMZB670UPE,315
MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Numero di parte
PMZB670UPE,315
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
3-XFDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
3-DFN1006B (0.6x1)
Dissipazione di potenza (massima)
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
680mA (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
1.14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
87pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.8V, 4.5V
Vg (massimo)
±8V
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