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PMZB600UNEYL
MOSFET N-CH 20V XQFN3
Numero di parte
PMZB600UNEYL
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
3-XFDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
DFN1006B-3
Dissipazione di potenza (massima)
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
600mA (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
21.3pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.2V, 4.5V
Vg (massimo)
±8V
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