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PMXB65ENEZ
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Numero di parte
PMXB65ENEZ
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
3-XDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo del fornitore
DFN1010D-3
Dissipazione di potenza (massima)
400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
3.2A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
67 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
295pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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