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PHT6NQ10T,135
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Numero di parte
PHT6NQ10T,135
Produttore/Marchio
Serie
TrenchMOS™
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-223
Dissipazione di potenza (massima)
1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
3A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
633pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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