L'immagine può essere rappresentativa.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
APT80SM120S
POWER MOSFET - SIC
Numero di parte
APT80SM120S
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Bulk
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
D3Pak
Dissipazione di potenza (massima)
625W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
80A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
235nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
20V
Vg (massimo)
+25V, -10V
Richiedi preventivo
Completa tutti i campi obbligatori e fai clic su INVIA, ti contatteremo entro 12 ore via e-mail. In caso di problemi, lascia messaggi o invia un'e-mail a [email protected]ì, ti risponderemo il prima possibile.
In magazzino 12648 PCS
Informazioni sui contatti
Prodotti correlati
Parole chiave di APT80SM120S
APT80SM120S Componenti elettronici
APT80SM120S Vendita
APT80SM120S fornitore
APT80SM120S Distributore
APT80SM120S Tabella dati
APT80SM120S Fotografie
APT80SM120S Prezzo
APT80SM120S Offerta
APT80SM120S Prezzo più basso
APT80SM120S Ricerca
APT80SM120S Acquisto
APT80SM120S Patata fritta