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2N6849
MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
Numero di parte
2N6849
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-205AF Metal Can
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-39
Dissipazione di potenza (massima)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
6.5A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
34.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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