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IXFT6N100F
MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
Numero di parte
IXFT6N100F
Produttore/Marchio
Serie
HiPerRF™
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-268 (IXFT)
Dissipazione di potenza (massima)
180W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
6A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
54nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1770pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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