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IXTY2R4N50P
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Numero di parte
IXTY2R4N50P
Produttore/Marchio
Serie
PolarHV™
Stato della parte
Last Time Buy
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-252, (D-Pak)
Dissipazione di potenza (massima)
55W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
500V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
2.4A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
3.75 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5.5V @ 25µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
6.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
240pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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