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IXTY1R6N50D2
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
Numero di parte
IXTY1R6N50D2
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-252, (D-Pak)
Dissipazione di potenza (massima)
100W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
Depletion Mode
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
500V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
1.6A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
2.3 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
-
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
23.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
645pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
-
Vg (massimo)
±20V
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