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IXTU5N50P

IXTU5N50P

MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252
Numero di parte
IXTU5N50P
Produttore/Marchio
Serie
PolarHV™
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-252, (D-Pak)
Dissipazione di potenza (massima)
89W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
500V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4.8A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2.4A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5.5V @ 50µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
12.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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Parole chiave di IXTU5N50P
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