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IXTP8N70X2M
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220
Numero di parte
IXTP8N70X2M
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-220-3 Isolated Tab
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-220 Overmolded
Dissipazione di potenza (massima)
32W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
700V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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