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IXTN30N100L
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227
Numero di parte
IXTN30N100L
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto/custodia
SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-227B
Dissipazione di potenza (massima)
800W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
30A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 15A, 20V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
545nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
13700pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
20V
Vg (massimo)
±30V
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