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IXTH67N10
MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
Numero di parte
IXTH67N10
Produttore/Marchio
Serie
MegaMOS™
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-247-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-247 (IXTH)
Dissipazione di potenza (massima)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
67A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
260nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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