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IXTA1R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263
Numero di parte
IXTA1R4N120P
Produttore/Marchio
Serie
Polar™
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-263 (IXTA)
Dissipazione di potenza (massima)
86W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
1.4A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
13 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
24.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
666pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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