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IXTA180N10T7
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7
Numero di parte
IXTA180N10T7
Produttore/Marchio
Serie
TrenchMV™
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-263-7 (IXTA..7)
Dissipazione di potenza (massima)
480W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
180A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
6.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
151nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
6900pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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