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IXFX360N10T
MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
Numero di parte
IXFX360N10T
Produttore/Marchio
Serie
GigaMOS™ HiPerFET™
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-247-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
PLUS247™-3
Dissipazione di potenza (massima)
1250W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
360A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 3mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
525nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
33000pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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