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IXFT20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268
Numero di parte
IXFT20N100P
Produttore/Marchio
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-268
Dissipazione di potenza (massima)
660W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
20A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
570 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
126nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
7300pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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