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IXFK180N25T
MOSFET N-CH 250V 180A TO-264
Numero di parte
IXFK180N25T
Produttore/Marchio
Serie
GigaMOS™
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-264-3, TO-264AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-264AA (IXFK)
Dissipazione di potenza (massima)
1390W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
250V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
180A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
12.9 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
345nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
28000pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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